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BCR112WH6327XTSA1

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  • 集好芯城
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    联系人:陈先生13360533550

    电话:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田区华富路航都大厦11F

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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
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    联系人:朱小姐

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

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    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
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    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

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  • 深圳市百润电子有限公司
    深圳市百润电子有限公司

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    地址:沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • AF DIGITAL TRANSISTORS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT323
BCR112WH6327XTSA1 技术参数
  • BCR112WE6327BTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:140MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR112E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):4.7k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:140MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BCR10PNH6730XTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:10,000 BCR10PNH6727XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR10PNH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:上次购买时间 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:130MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BCR119SE6433HTMA1 BCR119SH6327XTSA1 BCR119SH6433XTMA1 BCR119WE6327HTSA1 BCR119WH6327XTSA1 BCR129E6327HTSA1 BCR129SE6327HTSA1 BCR129SH6327XTSA1 BCR129WE6327HTSA1 BCR129WH6327XTSA1 BCR12CM-12LB#BB0 BCR12CM-16LB#BB0 BCR12CM-16LH#BB0 BCR12CS-12LB#B00 BCR12CS-12LBT1#BH0 BCR12FM-12LB#BB0 BCR12FM-14LB#FA0 BCR12FM-14LJ#BB0
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