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BB659E6805

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

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  • 865000

  • INFINEON

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  • 北京首天伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

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    资质:营业执照

  • 5000

  • INFINEON

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  • 06+

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

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    资质:营业执照

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  • 原装INFIN

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全称
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Silicon Variable Capacitance Diode
BB659E6805 技术参数
  • BB659CH7912XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 不同?Vr,F 时的电容:2.75pF @ 28V,1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向(最大值):30V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-80 供应商器件封装:PG-SCD80-2 标准包装:8,000 BB659CH7903XTMA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 不同?Vr,F 时的电容:2.75pF @ 28V,1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向(最大值):30V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-80 供应商器件封装:PG-SCD80-2 标准包装:10,000 BB659CH7902XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 不同?Vr,F 时的电容:2.75pF @ 28V,1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向(最大值):30V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-80 供应商器件封装:PG-SCD80-2 标准包装:3,000 BB659C02VH7912XTSA1 功能描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SC79-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 不同?Vr,F 时的电容:2.75pF @ 28V,1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向(最大值):30V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标准包装:1 BB659C02VH7908XTSA1 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 不同?Vr,F 时的电容:2.75pF @ 28V,1MHz 电容比:15.3 电容比条件:C1/C28 电压 - 峰值反向(最大值):30V 二极管类型:单一 不同 Vr,F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 标准包装:3,000 BB689H7912XTSA1 BB6X26CC-SB/2DC-LHS BB6X26-SB/2DC-LHS BB-75.000MBE-T BB-75.000MCE-T BB75070001 BB7603 BB7603R BB-77.760MBE-T BB-77.760MCE-T BB7X26CC-SB/2DC-LHS BB7X26-SB/2DC-LHS BB7X26-SB/DC,TC-LHS BB-80.000MBE-T BB-80.000MCE-T BB804,215 BB804SF1E6327HTSA1 BB804SF2E6327HTSA1
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