BAS316.135

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BAS316.135
现货
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2
2015+
-
公司现货库存,绝对原装正品!

BAS316.135
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2
2015+
-
公司现货库存,绝对原装正品!

1/1页 40条/页共4条
1

您是不是要找： BAS316/DG/B3,115 BAS316/DG/B3,135 BAS316/ZLF BAS316/ZLX BAS316-TP BAS316WS RRG BAS316Z BAS31-D87Z BAS321,115

BAS316.135 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BAS316.135 技术参数

BAS316,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 BAS316,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS316 标准包装:1 BAS316,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS316 标准包装:1 BAS316 RRG 功能描述:DIODE GEN PURP 250MA SOD323 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:30nA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS31_D87Z 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 120V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:120V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 90V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BAS321,135 BAS321/8F BAS321/8X BAS321/ZLF BAS321/ZLX BAS321Z BAS32L,115 BAS32L,135 BAS33-TAP BAS34-TAP BAS34-TR BAS35 BAS35,215 BAS381-TR BAS381-TR3 BAS382-TR BAS382-TR3 BAS383-TR