BAS3010A-03WE6327INFINEON

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BAS3010A-03WE6327INFINEON 技术参数

BAS3010A03WE6327HTSA1 功能描述:Diode Schottky 30V 1A Surface Mount PG-SOD323-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:470mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:35pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:PG-SOD323-2 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 BAS3007ARPPE6327HTSA1 功能描述:DIODE BRIDGE 30V 900MA SOT143 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:900mA 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:350μA @ 30V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 基本零件编号:BAS3007 标准包装:1 BAS3005S02LRHE6327XTSA1 功能描述:Diode Schottky 30V 500mA (DC) Surface Mount PG-TSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:500mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 500mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:PG-TSLP-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS3005B02VH6327XTSA1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:500mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:620mV @ 500mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 基本零件编号:BAS3005 标准包装:1 BAS3005A02VH6327XTSA1 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:500mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 500mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 基本零件编号:BAS3005 标准包装:1 BAS316,135 BAS316,H3F BAS316/DG/B3,115 BAS316/DG/B3,135 BAS316/ZLF BAS316/ZLX BAS316-TP BAS316WS RRG BAS316Z BAS31-D87Z BAS321,115 BAS321,135 BAS321/8F BAS321/8X BAS321/ZLF BAS321/ZLX BAS321Z BAS32L,115