BAQ133-GS18

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说明
操作

BAQ133-GS18
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
Vishay Semiconductors
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

BAQ133-GS18
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
VISHAY SE
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 40 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

BAQ133-GS18 技术参数

BAQ133-GS08 功能描述:Diode Standard 30V 200mA Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1nA @ 15V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-80 变式供应商器件封装:SOD-80 QuadroMELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BAP70Q,125 功能描述:DIODE PIN ATTENUATOR QUAD 5TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:PIN - 2 对 CA + CC 电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:125mW 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:5-TSOP 标准包装:1 BAP70AM,135 功能描述:RF Diode PIN - 2 Pair Series 50V 100mA 300mW 6-TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 2 对串行电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:300mW 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:10,000 BAP70AM,115 功能描述:RF Diode PIN - 2 Pair Series 50V 100mA 300mW 6-TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 2 对串行电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:300mW 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:3,000 BAP70-05,215 功能描述:DIODE PIN 50V 100MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:PIN - 1 对共阴极电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BAQ335-TR3 BAQ33-GS08 BAQ33-GS18 BAQ34-GS08 BAQ34-GS18 BAQ35-GS08 BAQ35-GS18 BAR 14-1 E6327 BAR 15-1 E6327 BAR 50-02L E6327 BAR 50-02V E6327 BAR 50-02V E6768 BAR 50-02V H6327 BAR 61 E6327 BAR 63-02V E6327 BAR 63-02V H6327 BAR 63-02W E6127 BAR 63-02W E6327