BAP70AM135

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BAP70AM135
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
NXP
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22+
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BAP70AM135 技术参数

BAP70AM,135 功能描述:RF Diode PIN - 2 Pair Series 50V 100mA 300mW 6-TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 2 对串行电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:300mW 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:10,000 BAP70AM,115 功能描述:RF Diode PIN - 2 Pair Series 50V 100mA 300mW 6-TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 2 对串行电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:300mW 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:3,000 BAP70-05,215 功能描述:DIODE PIN 50V 100MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:PIN - 1 对共阴极电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BAP70-04W,115 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 50V 100mA 260mW SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:260mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BAP70-03,115 功能描述:DIODE PIN 50V 100MA SOD-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:500mW 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BAQ334-TR BAQ334-TR3 BAQ335-TR BAQ335-TR3 BAQ33-GS08 BAQ33-GS18 BAQ34-GS08 BAQ34-GS18 BAQ35-GS08 BAQ35-GS18 BAR 14-1 E6327 BAR 15-1 E6327 BAR 50-02L E6327 BAR 50-02V E6327 BAR 50-02V E6768 BAR 50-02V H6327 BAR 61 E6327 BAR 63-02V E6327