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B82477G2334M00

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B82477G2334M00 技术参数

B82477G2334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 680mA 510 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:330μH 容差:±20% 额定电流:680mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:510 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:600 B82477G2333M000 功能描述:FIXED IND 33UH 2.1A 57 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:33μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:57 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:600 B82477G2333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 57 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:33μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:57 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:600 B82477G2332M000 功能描述:FIXED IND 3.3UH 6A 17 MOHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:17 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准供应商器件封装:- 大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:600 B82477G2332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 6A 17 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G2 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:17 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.484" 长 x 0.484" 宽（12.30mm x 12.30mm）高度 - 安装（最大值）:0.236"（6.00mm）标准包装:600 B82477G2684M000 B82477G4102M B82477G4103M B82477G4104M B82477G4105M B82477G4153M B82477G4154M B82477G4222M B82477G4222M000 B82477G4223M B82477G4224M B82477G4333M B82477G4334M B82477G4392M B82477G4472M B82477G4473M B82477G4474M B82477G4562M