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B82464G4474M000

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  • B82464G4474M000
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

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  • B82464G4474M000
    B82464G4474M000

    B82464G4474M000

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:13428937514

    地址:门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 1000

  • EPCOS

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  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • INDUCTOR 470UH 500MA 20% F
  • 制造商
  • EPCOS
  • 功能描述
  • Ind Power Shielded Wirewound 470uH 20% 100KHz Ferrite 500mA Blister T/R
B82464G4474M000 技术参数
  • B82464G4474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 500mA 930 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:500mA 电流 - 饱和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):930 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:2.6MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 95 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:1.55A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):95 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:9MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 4.9A 15 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:4.9A 电流 - 饱和值:5.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):15 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:37MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 590mA 650 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:330μH 容差:±20% 额定电流:590mA 电流 - 饱和值:650mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):650 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:3.2MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 1.85A 75 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:33μH 容差:±20% 额定电流:1.85A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):75 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:10MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464P4105M B82464P4105M000 B82464P4153M B82464P4154M B82464P4154M000 B82464P4223M B82464P4224M B82464P4224M000 B82464P4332M B82464P4332M000 B82464P4333M B82464P4334M B82464P4334M000 B82464P4472M B82464P4472M000 B82464P4473M B82464P4474M B82464P4682M
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