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B82111BC22.

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  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • INDUCTOR AXIAL 9.0UH
B82111BC22. 技术参数
  • B82111BC22 功能描述:9μH Unshielded Wirewound Inductor 6A 12 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:散装 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:9μH 容差:±20% 额定电流:6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):12 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:150MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 大小/尺寸:0.354" 直径 x 1.389" 长(9.00mm x 34.00mm) 高度 - 安装(最大值):- 标准包装:150 B82111BC21 功能描述:5μH Unshielded Wirewound Inductor 10A 5 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:散装 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:5μH 容差:±20% 额定电流:10A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):5 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:175MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 大小/尺寸:0.374" 直径 x 1.389" 长(9.50mm x 34.00mm) 高度 - 安装(最大值):- 标准包装:150 B82111BC20 功能描述:20μH Unshielded Wirewound Inductor 3A 54 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:- 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:20μH 容差:±20% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):54 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:125MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 大小/尺寸:0.236" 直径 x 1.412" 长(6.00mm x 29.00mm) 高度 - 安装(最大值):- 标准包装:200 B82111BC19 功能描述:13μH Unshielded Wirewound Inductor 3A 24 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:13μH 容差:±20% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):24 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:170MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 大小/尺寸:0.256" 直径 x 0.965" 长(6.50mm x 24.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 标准包装:200 B82111BC18 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 4A 20 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:11μH 容差:±20% 额定电流:4A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):20 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:150MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 大小/尺寸:0.256" 直径 x 0.965" 长(6.50mm x 24.50mm) 高度 - 安装(最大值):- 标准包装:200 B82111EC25 B82111EC26 B82111EC27 B82111EC28 B82111EC29 B82114RA1 B82114RA4 B82114RC1 B82114RC4 B82131A5151M B82131A5152M B82131A5202M B82131A5301M B82131A5301M000 B82131A5302M B82131A5401M B82131A5401M000 B82131A5402M
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