B82111-B-C20

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B82111-B-C20
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
117
Epcos
09+22
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公司现货!只做原装!

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制造商
TDK Epcos
功能描述

B82111-B-C20 技术参数

B82111BC20 功能描述:20μH Unshielded Wirewound Inductor 3A 54 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:- 零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:20μH 容差:±20% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:54 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:125MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.236" 直径 x 1.412" 长（6.00mm x 29.00mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111BC19 功能描述:13μH Unshielded Wirewound Inductor 3A 24 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:带卷（TR）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:13μH 容差:±20% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:24 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:170MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.256" 直径 x 0.965" 长（6.50mm x 24.50mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111BC18 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 4A 20 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:带卷（TR）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:11μH 容差:±20% 额定电流:4A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:20 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:150MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.256" 直径 x 0.965" 长（6.50mm x 24.50mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111BC17 功能描述:6μH Unshielded Wirewound Inductor 6A 10 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:带卷（TR）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6μH 容差:±20% 额定电流:6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:10 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:200MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.275" 直径 x 0.965" 长（7.00mm x 24.50mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111BC16 功能描述:3μH Unshielded Wirewound Inductor 9A 6 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:散装零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3μH 容差:±20% 额定电流:9A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:6 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:220MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.295" 直径 x 0.965" 长（7.50mm x 24.50mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111EC23 B82111EC24 B82111EC25 B82111EC26 B82111EC27 B82111EC28 B82111EC29 B82114RA1 B82114RA4 B82114RC1 B82114RC4 B82131A5151M B82131A5152M B82131A5202M B82131A5301M B82131A5301M000 B82131A5302M B82131A5401M