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AUIRLS4030TRR

配单专家企业名单
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  • AUIRLS4030TRR
    AUIRLS4030TRR

    AUIRLS4030TRR

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 638850

  • IR

  • TO-263

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，价格超越代理！

  • AUIRLS4030TRR
    AUIRLS4030TRR

    AUIRLS4030TRR

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • IR

  • D2PAK

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • AUIRLS4030TRRPBF
    AUIRLS4030TRRPBF

    AUIRLS4030TRRPBF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • IR

  • TO263

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • AUIRLS4030TRRPBF
    AUIRLS4030TRRPBF

    AUIRLS4030TRRPBF

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：13760200702

    地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质：营业执照

  • 5000

  • IR

  • TO263

  • 假一赔十！！

  • -

  • 绝对原装现货！

  • AUIRLS4030TRRPBF
    AUIRLS4030TRRPBF

    AUIRLS4030TRRPBF

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人：唐先生

    电话：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质：营业执照

  • 5000

  • IR

  • TO263

  • 12+

  • -

  • 原装现货/特价

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  • 功能描述
  • MOSFET 100V 180A 4.3 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
AUIRLS4030TRR 技术参数
  • AUIRLS4030TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 110A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11360pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRLS4030-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 110A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片） 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead） 标准包装:800 AUIRLS4030-7P 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 110A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11490pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片） 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead） 标准包装:50 AUIRLS4030 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.3 毫欧 @ 110A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:130nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11360pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRLS3114Z 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.9 毫欧 @ 56A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3617pF @ 25V 功率 - 最大值:143W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-PAK（TO-252AA） 标准包装:50 AUIRLZ44Z AUIRLZ44ZL AUIRLZ44ZS AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S AUIRS2004S AUIRS2012STR AUIRS20161S AUIRS20162STR AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S AUIRS2092STR AUIRS2110S AUIRS2112S AUIRS2113S AUIRS2113STR
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