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AUIRFS8407TRL

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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    地址:中国上海

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

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    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

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    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

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  • 英飞凌

  • TO-3P

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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

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    资质:营业执照

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  • Infineon Technologies

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • 全新原装现货

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

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  • Infineon

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
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  • AUTOMOTIVE G12.7 MOSFET 40VN
  • 制造商
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  • T&R / Automotive G12.7 MOSFET 40VN
AUIRFS8407TRL 技术参数
  • AUIRFS8407-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 AUIRFS8407-7P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:50 AUIRFS8407 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS8405 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):161nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5193pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):163W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS6535TRL 功能描述:MOSFET N CH 300V 19A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):185 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2340pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRFSL4115 AUIRFSL4310 AUIRFSL6535 AUIRFSL8403 AUIRFSL8405 AUIRFSL8407 AUIRFSL8409 AUIRFU1010Z AUIRFU3607 AUIRFU4104 AUIRFU4292 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403 AUIRFU8405 AUIRFZ24NS AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR
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