AT-42085G_代理商_批发/采购【买卖IC网】AT-42085G

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

AT-42085G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
160
AVAGO
SMD
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

AT-42085G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AVAGO
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AT-42085G
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
AVAGO
SMD
23+
-
只做原装正品

AT-42085G
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐/张先生
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
1600
AVAGO
光藕
24+
-
授权代理商

AT-42085G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
20
AVAGO
SMD
05+
-
全新原装现货

AT-42085G
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
4
AVAGO/安华高
SMD
05+
-
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功能描述
射频双极小信号晶体管 Transistor Si
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Reel

AT-42085G 技术参数

AT-42070 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 70-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10.5dB ~ 14dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（70 密耳）供应商器件封装:70 密耳封装标准包装:100 AT-42036-TR1G 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 36 micro-X 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（36 micro-X）供应商器件封装:36 micro-X 标准包装:1,000 AT-42036-BLKG 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 36 micro-X 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（36 micro-X）供应商器件封装:36 micro-X 标准包装:100 AT-42035G 功能描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（35 micro-X）供应商器件封装:35 micro-X 标准包装:100 AT-42010 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW Surface Mount 制造商:broadcom limited 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz 增益:10dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 35mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD（100 密耳）供应商器件封装:- 标准包装:100 AT421F AT421G AT-4228-TF-LW145 AT-4228-TF-LW145-R AT-4228-TWT-F-R AT422A AT422B AT422C AT422E AT422F AT422G AT-4230-TF-LW135-R AT423A AT423C AT424A AT426A AT426B AT426C