APTML100U60R020T1AG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTML100U60R020T1AG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP1
23+
-
微芯专营优势产品

APTML100U60R020T1AG
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
12
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APTML100U60R020T1AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

APTML100U60R020T1AG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
60
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

您是不是要找： APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK

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功能描述
MOSFET PWR MOD 100V 20A SP1
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTML100U60R020T1AG 技术参数

APTML1002U60R020T3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6000pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC60TLM55CT3AG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（三级反相器） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:49 毫欧 @ 40A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:98nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 1000V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC60TLM14CAG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（三级反相器） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:219A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTMC60TL11CT3AG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（三级反相器） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:49nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC170AM60CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:53A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2.5mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:190nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3080pF @ 1000V 功率 - 最大值:350W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G APTS003A0X4-SRZ APTS003A0X-SRDZ APTS003A0X-SRZ APTS006A0X4-SRZ