APTM50H14FT3G_代理商_批发/采购【买卖IC网】APTM50H14FT3G

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封装
批号
价格
说明
操作

APTM50H14FT3G
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯专营优势产品

APTM50H14FT3G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
15
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APTM50H14FT3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTM50H14FT3G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APTM50H14FT3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
85
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
MOSFET MOD FULL BRIDGE 500V SP3
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM50H14FT3G 技术参数

APTM50H10FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4367pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM50DUM38TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:246nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50DUM35TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:99A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50DUM25TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:149A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 74.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:29600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50DUM19G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:163A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22.5 毫欧 @ 81.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50SKM17G APTM50SKM19G APTM50SKM35TG APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG APTM50UM13SAG APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG APTMC120AM12CT3AG APTMC120AM16CD3AG APTMC120AM20CT1AG

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