APTM50AM19F

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTM50AM19FG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯专营优势产品

APTM50AM19F
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
S108X62-7L
25+
-
国产品牌，替代进口

APTM50AM19FG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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您是不是要找： APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG APTM50AM25FTG APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER FREDFET TRANSISTOR

APTM50AM19F 技术参数

APTM50AM17FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50A15FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5448pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTM20UM09SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 195A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:195A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 74.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:217nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:J3 模块供应商器件封装:模块标准包装:1 APTM20UM05SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:317A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:448nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:J3 模块供应商器件封装:模块标准包装:1 APTM20UM04SAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:417A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 208.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28800pF @ 25V 功率 - 最大值:1560W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG