APTM100UM65DAG

配单专家企业名单

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说明
操作

APTM100UM65DAG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯专营优势产品

APTM100UM65DAG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTM100UM65DAG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM100UM65DAG 技术参数

APTM100UM60FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 129A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:129A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 64.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1116nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:31100pF @ 25V 功率 - 最大值:2272W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100UM45FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:215A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 107.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1602nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100UM45DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:215A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 107.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1602nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:42700pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM100U13SG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 65A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:145 毫欧 @ 32.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2000nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:31600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:J3 模块供应商器件封装:模块标准包装:1 APTM100TDU35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM10DHM09TG APTM10DSKM09T3G APTM10DSKM19T3G APTM10DUM02G APTM10DUM05TG APTM10HM05FG APTM10HM09FT3G APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG