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APTGF90DU60T

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  • APTGF90DU60T
    APTGF90DU60T

    APTGF90DU60T

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • APT

  • 原厂封装

  • 15+

  • -

  • 原装正品，假一罚十

  • APTGF90DU60T
    APTGF90DU60T

    APTGF90DU60T

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：刘小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • N93X40-10L

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • APTGF90DU60T
    APTGF90DU60T

    APTGF90DU60T

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-88608801多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • APT

  • 价格优势

  • 17+

  • -

  • 原装正品。优势供应

  • APTGF90DU60TG
    APTGF90DU60TG

    APTGF90DU60TG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

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  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF90DU60T 技术参数
  • APTGF90DH60TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 110A 416W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF90DH60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 110A 416W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF90DA60TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 110A 416W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF90DA60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 110A 416W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF90DA60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 130A 445W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGL120TA120TPG APTGL120TDU120TPG APTGL180A1202G APTGL180A120T3AG APTGL240TL120G APTGL325A120D3G APTGL325DA120D3G APTGL325SK120D3G APTGL40H120T1G APTGL40X120T3G APTGL475A120D3G APTGL475DA120D3G APTGL475SK120D3G APTGL475U120D4G APTGL475U120DAG APTGL60DDA120T3G APTGL60DH120T3G APTGL60DSK120T3G
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