您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

APTGF90DH60TG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGF90DH60TG
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Microsemi
22+
-
原装正品

1/1页 40条/页共8条
1

您是不是要找： APTGF90DU60TG APTGF90H60T3G APTGF90H60TG APTGF90SK60D1G APTGF90SK60T1G APTGF90SK60TG APTGF90TA60PG APTGF90TDU60PG APTGFQ25H120T2G

APTGF90DH60TG PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTGF90DH60TG PDF下载

功能描述
IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF90DH60TG 技术参数

APTGF90DH60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 110A 416W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF90DA60TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 110A 416W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF90DA60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 110A 416W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF90DA60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 130A 445W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGF90A60TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 110A 416W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGL120TA120TPG APTGL120TDU120TPG APTGL180A1202G APTGL180A120T3AG APTGL240TL120G APTGL325A120D3G APTGL325DA120D3G APTGL325SK120D3G APTGL40H120T1G APTGL40X120T3G APTGL475A120D3G APTGL475DA120D3G APTGL475SK120D3G APTGL475U120D4G APTGL475U120DAG APTGL60DDA120T3G APTGL60DH120T3G APTGL60DSK120T3G