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APTGF75DH120TG

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    APTGF75DH120TG

    APTGF75DH120TG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

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  • 功能描述
  • IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 半导体模块 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 配置
  • 单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 无
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
  • SOT-227B
APTGF75DH120TG 技术参数
  • APTGF75DDA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 100A 500W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF75DA60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 100A 355W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:355W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGF75DA120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 100A 500W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF660U60D4G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 860A 2800W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:860A 功率 - 最大值:2800W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，800A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:36nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标准包装:1 APTGF530U120D4G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 700A 3900W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:3900W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:37nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标准包装:1 APTGF90DH60T3G APTGF90DH60TG APTGF90DU60TG APTGF90H60T3G APTGF90H60TG APTGF90SK60D1G APTGF90SK60T1G APTGF90SK60TG APTGF90TA60PG APTGF90TDU60PG APTGFQ25H120T2G APTGL120TA120TPG APTGL120TDU120TPG APTGL180A1202G APTGL180A120T3AG APTGL240TL120G APTGL325A120D3G APTGL325DA120D3G
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