APT8DQ60KCTG_代理商_批发/采购【买卖IC网】APT8DQ60KCTG

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说明
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APT8DQ60KCTG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
APT
TO-220
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT8DQ60KCTG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT(MICROSEMI)
标准封装
TO-220 [K]
-
全新原装100%正品保证质量

APT8DQ60KCTG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT(MICROSEMI)
TO-220
13+
-
全新原装100%正品保证质量

APT8DQ60KCTG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT(MICROSEMI)
标准封装
TO-220 [K]
-
全新原装100%正品保证质量

APT8DQ60KCTG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220 [K]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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功能描述
DIODE ULT FAST 2X8A 600V TO-220
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列
系列
-
其它有关文件
STTH10LCD06C View All Specifications
标准包装
1,000
系列
-
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
2V @ 5A
电流 - 在 Vr 时反向漏电
1µA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）
5A
电压 - (Vr)（最大）
600V
反向恢复时间(trr)
50ns
二极管类型
标准
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
二极管配置
1 对共阴极
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1553 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
497-10107-2

APT8DQ60KCTG 技术参数

APT85GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:170A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:660nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/300ns 测试条件:600V，85A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT85GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT85GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT85GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX? 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:170A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:660nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/300ns 测试条件:600V，85A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? 标准包装:1 APT84M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:84A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 42A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC APTB1612LSURKZGKC APTB1612LSYKCGKC APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01

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