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APT77N60JC3MI

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  • APT77N60JC3MI
    APT77N60JC3MI

    APT77N60JC3MI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • SOT-227

  • 11+

  • -
  • 100%进口原装正品,只做原装

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APT77N60JC3MI 技术参数
  • APT77N60JC3 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):77A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):640nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT77N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:超级结 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):77A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):41 毫欧 @ 44.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 2.96mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:481W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT75M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 37A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT75M50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 37A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):290nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11600pF @ 25V 功率 - 最大值:1040W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? 标准包装:1 APT75GT120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):5.34nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT8020JLL APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2
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