APT68GA60S

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT68GA60S
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D3PAK，TO-268
25+
-
国产品牌，替代进口

APT68GA60S
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
D3
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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您是不是要找： APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
High Speed PT IGBT

APT68GA60S 技术参数

APT68GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:121A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 开关能量:715μJ（开），607μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/133ns 测试条件:400V，40A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT68GA60B2D40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:121A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 开关能量:715μJ（开），607μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:198nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/133ns 测试条件:400V，40A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT68GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:121A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 开关能量:715μJ（开），607μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:298nC 25°C 时 Td（开/关）值:21ns/133ns 测试条件:400V，40A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT66M60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13190pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 变式供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G