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APT261D60J

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  • APT261D60J
    APT261D60J

    APT261D60J

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生13360533550

    电话:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田区华富路航都大厦11F

    资质:营业执照

  • 26854

  • APT

  • MODULE

  • 22+

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  • 原厂原装现货

  • APT261D60J
    APT261D60J

    APT261D60J

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8500

  • APT

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APT261D60J 技术参数
  • APT25SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:* 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):175 毫欧 @ 10A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:175W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT25SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):175 毫欧 @ 10A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:175W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT25M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):330 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9835pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT25GT120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,25A 功率 - 最大值:347W 开关能量:930μJ(开),720μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:14ns/150ns 测试条件:800V,25A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT25GT120BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):54A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,25A 功率 - 最大值:347W 开关能量:930μJ(开),720μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:170nC 25°C 时 Td(开/关)值:14ns/150ns 测试条件:800V,25A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J
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