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APT200GN60JMI

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APT200GN60JMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
SOT-227
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

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您是不是要找： APT200GT60JR APT2012CGCK APT2012EC APT2012F3C APT2012LSECK/J3-PRV APT2012LSECK/J4-PRV APT2012LSYCK/J3-PRV APT2012LVBC/D APT2012LZGCK

APT200GN60JMI PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT200GN60JMI 技术参数

APT200GN60JG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:30 APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:30 APT200GN60JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT200GN60J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT200GN60B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:283A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):600A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 功率 - 最大值:682W 开关能量:13mJ（开）， 11mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:1180nC 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/560ns 测试条件:400V，200A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT2012MGC APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D APT2012YC