APT15GP60BDLG

配单专家企业名单

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说明
操作

APT15GP60BDLG
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
7844
TO247
15+
-
绝对公司原装现货

APT15GP60BDLG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-247CS
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

APT15GP60BDLG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 600V 56A TO-247
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 600V 56A 250W TO247
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT15GP60BDLG 技术参数

APT15GN120KG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 开关能量:410μJ（开），950μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/150ns 测试条件:800V，15A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:30 APT15GN120BDQ1G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 开关能量:410μJ（开），950μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/150ns 测试条件:800V，15A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GF120JCU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 30A 156W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT15F60S 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:72nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2882pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:290W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 标准包装:1 APT15F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:430 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2882pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT15GT60BRG APT15GT60KRG APT15S20BCTG APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW