您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

APT150GN120JMI

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT150GN120JMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
SOT-227
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： APT150GN60B2G APT150GN60J APT150GN60JDQ4 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG APT15D100BG APT15D100BHBG APT15D100KG

APT150GN120JMI PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT150GN120JMI 技术参数

APT150GN120JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT150GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:215A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT14M120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4765pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT14M100S 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:120nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3965pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:880 毫欧 @ 7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 APT14M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG APT15D60BCTG APT15D60BG APT15D60KG APT15DQ100BCTG APT15DQ100BG APT15DQ100KG APT15DQ120BCTG APT15DQ120BG APT15DQ120KG APT15DQ60BCTG APT15DQ60BG