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配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

AOTF10B60D
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
AOS美国万代
TO220F
22+
-
十年配单，只做原装

AOTF10B60D
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9688
TI
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

AOTF10B60D
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
AOS
TO220F
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

AOTF10B60D
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220F
25+
-
国产品牌，替代进口

AOTF10B60D
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1100
AOS
TO-220F
10+
-
全新原装现货

AOTF10B60D
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
TO220F
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
IGBT 10A
制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
IGBT W/DIODE 600V 10A TO220F

AOTF10B60D 技术参数

AOT9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:700V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:236W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1042pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT9N40L 功能描述:MOSFET N-CH 400V 8A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:760pF @ 25V 功率 - 最大值:132W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 AOT8N80L_001 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.63 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1650pF @ 25V 功率 - 最大值:245W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:1 AOT8N80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.63 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1650pF @ 25V 功率 - 最大值:245W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOTF10N65 AOTF10N90 AOTF10T60 AOTF10T60_001 AOTF10T60L AOTF10T60P AOTF10T60PL AOTF11C60 AOTF11C60_001 AOTF11C60P AOTF11C60P_001 AOTF11C60PL AOTF11N60L AOTF11N62 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L