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AON7510

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 说明
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  • AON7510
    AON7510

    AON7510

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • AOS

  • DFN3.3x3.3

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • AON7510
    AON7510

    AON7510

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • AOS

  • 近两年生产

  • DFN-8

  • -
  • 每一片都来自原厂

  • AON7510
    AON7510

    AON7510

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 8230

  • AOS万代

  • DFN3.3X3.38

  • 13+

  • -
  • 全新原装现货

  • AON7510
    AON7510

    AON7510

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:许先生

    电话:18898761413

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS/万代

  • DFN3.33.3

  • 24+

  • -
  • 原装正品,可含税供应。品质保障

  • 1/1页 40条/页 共30条 
  • 1
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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全称
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • AON7510
AON7510 技术参数
  • AON7508 功能描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):26A(Ta),32A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1835pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7506 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta),12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.8 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):542pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:5,000 AON7502 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1022pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:5,000 AON7474A 功能描述:MOSFET N-CH 75V 4A/7.5A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta),7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):280pF @ 37.5V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3) 标准包装:5,000 AON7466 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3) 标准包装:5,000 AON7534 AON7536 AON7538 AON7544 AON7548 AON7548_101 AON7556 AON7566 AON7568 AON7611 AON7700 AON7702 AON7702A_101 AON7702B AON7752 AON7754 AON7758 AON7758_001
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