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AON6440L
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
AOS/万代
DFN
23+
-
全新原装正品现货热卖

AON6440L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3570
AOS
QFN
1238+
-
全新原装现货

AON6440L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
DFN8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON6440L
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
6000
AO
SOP8
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

AON6440L
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
AOS
标准封装
N/A
-
优势物料

AON6440L
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
714
AOS
QFN
1238+
-
原装现货/特价

AON6440L
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3696
AOS
QFN
2207+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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AON6440L 技术参数

AON6435 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），34A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6428L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），43A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:770pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6428_103 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），43A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:770pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6426 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6424A 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），41A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2W（Ta），25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON6458 AON6482 AON6484 AON6500 AON6500_001 AON6502 AON6504 AON6504_001 AON6506 AON6508 AON6508_101 AON6510 AON6512 AON6514 AON6516 AON6516_151 AON6518 AON6520