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AON2801L

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  • AON2801L/AON2801
    AON2801L/AON2801

    AON2801L/AON2801

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • AOS

  • DFN

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  • AON2801L
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

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  • 15862

  • AOS

  • QFN

  • 23+

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  • 全新原装正品现货热卖

  • AON2801L
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  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

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    资质:营业执照

  • 24187

  • AOS

  • QFN

  • 09NOPB

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  • 原装现货/特价

  • AON2801L
    AON2801L

    AON2801L

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

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    资质:营业执照

  • 6000

  • AOS

  • QFN

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货供应

  • AON2801L
    AON2801L

    AON2801L

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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AON2801L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH DUAL DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 停產
  • FET 类型
  • 2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源电压(Vdss)
  • 20V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 3A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 120 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 6.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 700pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 1.5W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装
  • 6-DFN(2x2)
  • 标准包装
  • 3,000
AON2801L 技术参数
  • AON2801 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:3,000 AON2800 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):47 毫欧 @ 4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):435pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:3,000 AON2707 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式) 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):117 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):305pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:3,000 AON2705_001 功能描述:MOSFET P-CH W/DIO 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-DFN(2x2) 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 标准包装:3,000 AON2705 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道、 肖特基,金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):108 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):180pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x2) 标准包装:3,000 AON3419 AON3611 AON3613 AON3806 AON3810 AON3814 AON3816 AON3816_101 AON3818 AON3820 AON4407 AON4407_003 AON4407L AON4407L_002 AON4407L_003 AON4420 AON4421 AON4421_001
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