AOI4TL60

配单专家企业名单

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批号
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说明
操作

AOI4TL60
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
A
TO-251
22+
-
十年配单，只做原装

AOI4TL60
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
AO/万代
TO-251A
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

AOI4TL60
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3981
AOS
TO220
2202+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

AOI4TL60
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
5029
AOS
TO-251A
2239+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET N-CH TO251A
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件状态
最後搶購
标准包装
70

AOI4TL60 技术参数

AOI4T60P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:522pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251 标准包装:80 AOI4T60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:70 AOI4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:56.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI4N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:640pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI4C60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:950 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:910pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI538 AOI5N40 AOI7N60 AOI7N65 AOI7S65 AOI8N25 AOI9N50 AOK10B60D AOK10N90 AOK15B60D AOK18N65L AOK20B120D1 AOK20B120E1 AOK20B120E2 AOK20B135D1 AOK20B135E1 AOK20B60D1 AOK20B65M1