AOD5N40_代理商_批发/采购【买卖IC网】AOD5N40

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOD5N40
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ALPHA
TO252
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

AOD5N40
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
400045
YXYBDT台湾
TO-252
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

AOD5N40
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
DPAK/TO-252
25+
-
国产品牌，替代进口

AOD5N40
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AOD5N40
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

AOD5N40
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
100
AOS/万代
-
一片起拆起售

AOD5N40
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3215
AO
TO-252
2211+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

1/2页 40条/页共54条
1 2 下一页

您是不是要找： AOD5N50 AOD5N50M AOD5T40P AOD5T40P_101 AOD603A AOD604 AOD606 AOD607 AOD607_001

AOD5N40 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AOD5N40 PDF下载

功能描述
MOSF N CH 400V 4.2A TO252 DPAK
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

AOD5N40 技术参数

AOD5B65N1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件状态:在售 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:52W 开关能量:81μJ (开), 49μJ (关) 输入类型:标准栅极电荷:9.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/73ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:170ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:69W 开关能量:80μJ（开），70μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:8.5ns/106ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:195ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 AOD5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 54.4W TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:54.4W 开关能量:140μJ（开），40μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:9.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:98ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:42nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），24W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 AOD528 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），50A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 15V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.4 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 AOD607_DELTA AOD607A AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936