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AOB255652

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    AOB255652

    AOB255652

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • AOS

  • TO-263

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AOB255652 技术参数
  • AOB254L 功能描述:MOSFET N-CH 150V 32A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Ta),32A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2150pF @ 75V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB2502L 功能描述:MOSFET N-CH 150V 106A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):106A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3010pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散(最大值):277W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.7 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:800 AOB2500L 功能描述:MOSFET N-CH 150V 11.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.5A(Ta),152A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):136nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6460pF @ 75V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB240L 功能描述:MOSFET N-CH 40V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3510pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB210L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4300pF @ 15V 功率 - 最大值:176W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB270AL AOB270L AOB27S60L AOB280L AOB282L AOB284L AOB286L AOB288L AOB2904 AOB290L AOB2910L AOB2918L AOB292L AOB296L AOB298L AOB29S50L AOB409L AOB411L
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