AO8205

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AO8205
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
300000
AOS/ 万代
SOT23-6TSSOP8
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

AO8205
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
3550000
KEXIN
TSSOP08
2024+
-
诚诺原装现货

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AO8205 技术参数

AO7801 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:520 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:140pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 AO7800 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:120pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 AO7600_001 功能描述:MOSFET N/P-CH SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:900mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:120pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6（SOT-363）标准包装:3,000 AO7600 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:900mA，600mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:120pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 AO7417 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.9A SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:80 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:745pF @ 10V 功率 - 最大值:570mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:3,000 AO8808A AO8810 AO8810#A AO8814 AO8814#A AO8818 AO8820 AO8822 AO8822#A AO8830 AO9926B AO9926BL AO9926BL_101 AO9926C AO-AGSM-OM54 AOB10B60D AOB10B65M1 AOB10N60L