A2U12

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说明
操作

A2U12M12W2-F1C
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
N62X56-35L
25+
-
国产品牌，替代进口

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A2U12 技术参数

A2T27S020NR1 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:400MHz ~ 2.7GHz 增益:21dB 电压 - 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:185mA 功率 - 输出:20W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:TO-270-2 供应商器件封装:TO-270-2 标准包装:500 A2T27S020GNR1 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:400MHz ~ 2.7GHz 增益:21dB 电压 - 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:185mA 功率 - 输出:20W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:TO-270BA 供应商器件封装:TO-270G-2 标准包装:500 A2T27S007NT1 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:728MHz ~ 3.6GHz 增益:- 额定电流:- 噪声系数:- 功率 - 输出:28.8dBm 电压 - 额定:28V 封装/外壳:16-VDFN 裸焊盘供应商器件封装:16-DFN（6x4）标准包装:1,000 A2T26H300-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 2.5GHz 14.5dB 60W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.5GHz 增益:14.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA 功率 - 输出:60W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230-4LS2L 供应商器件封装:NI-1230-4LS2L 标准包装:150 A2T26H165-24SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 400mA 2.5GHz 14.7dB 32W NI-780S-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.5GHz 增益:14.7dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA 功率 - 输出:32W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780S-4L2L 供应商器件封装:NI-780S-4L2L 标准包装:250 A301-100-F3 A30110204 A30110204MP A30110207 A301103 A30110307 A301104 A30110404 A30110404MT A30110407 A30110407MP A301105 A30110507MP A30110604 A30110607 A301107 A30110704 A30110804