71V416S12YI8

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71V416S12YI8 技术参数

71V416S12YGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 44-Pin SOJ T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC SGL 3.3V 4MBIT 256KX16 12NS 44PIN SOJ - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 71V416S12YGI 功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V416S12YG8 功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V416S12YG 功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V416S12PHGI8 功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V416S15PHG8 71V416S15PHGI 71V416S15PHGI8 71V416S15YG 71V416S15YG8 71V416S15YGI 71V416S15YGI8 71V416YS10PHG 71V416YS15PHG 71V424L10PHG 71V424L10PHG8 71V424L10PHGI 71V424L10PHGI8 71V424L10YG 71V424L10YG8 71V424L10YGI 71V424L10YGI8 71V424L12PHG