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2SK897

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 操作
  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • FUJI

  • TO-220F

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：刘小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-220F

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人：李燕兵

    电话：82525918

    地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质：营业执照

  • 6000

  • FUJI

  • TO-220F

  • 22+

  • -

  • 全新原装现货供应

  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • FJD

  • 220

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • FJD

  • 专业经营三极管 货源充足 品质保证

  • 220

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品，质量保障

  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 10000

  • FUJI

  • TO-220

  • 15+

  • -

  • 原装正品，假一罚十

  • 2SK897(MR)
    2SK897(MR)

    2SK897(MR)

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • FJD

  • TO-220F

  • 05+实价

  • -

  • 全新原装100%正品保证质量

  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-88608801多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • TOSHIBA

  • 原厂原装

  • 18+

  • -

  • 原装正品，优势供应

  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人：林小姐//方先生

    电话：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知

  • 40

  • FUJI

  • TO-220F

  • 2012+

  • -

  • 只做原装正品

  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：何芝

    电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 4810

  • FJD

  • TO-220

  • 13+

  • -

  • 原装正品现货库存

  • 2SK897
    2SK897

    2SK897

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：13428937514

    地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质：营业执照

  • 6800

  • T

  • TO-220F

  • 2015+

  • -

  • 公司现货!只做原装!

  • 1/1页 40条/页 共31条 
  • 1
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  • 制造商
  • Panasonic Industrial Company
  • 功能描述
  • TRANSISTOR
2SK897 技术参数
  • 2SK880-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:50V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK880GRTE85LF 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:50V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK880-BL(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:50V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK879-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK879-GR(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12 2SP0115T2A0-17 2SP0115T2B0-06 2SP0115T2B0-12 2SP0115T2B0-17 2SP0115T2C0-06
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