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2SK2009(TE85L

配单专家企业名单
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  • 2SK2009(TE85L)
    2SK2009(TE85L)

    2SK2009(TE85L)

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人：李林

    电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3

    地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质：营业执照

  • 15862

  • SOT23

  • 23+

  • -

  • 全新原装正品现货热卖

  • 2SK2009(TE85L,F)
    2SK2009(TE85L,F)

    2SK2009(TE85L,F)

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪先生

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 0

  • TOSHIBA

  • con

  • 24+

  • -

  • 晶体管

  • 2SK2009(TE85L
    2SK2009(TE85L

    2SK2009(TE85L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • TOSHIBA

  • SOT23

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • 2SK2009(TE85L)
    2SK2009(TE85L)

    2SK2009(TE85L)

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人：李燕兵

    电话：82525918

    地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质：营业执照

  • 6000

  • SOT23

  • 22+

  • -

  • 全新原装现货供应

  • 2SK2009(TE85L,F)
    2SK2009(TE85L,F)

    2SK2009(TE85L,F)

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人：李女士

    电话：1530261991513762584085

    地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 12000

  • TOSHIBA(非存储器)

  • 晶体管

  • 24+

  • -

  • 原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

  • 2SK2009(TE85LF)
    2SK2009(TE85LF)

    2SK2009(TE85LF)

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • TOSHIBA/东芝

  • SOT23

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • 2SK2009(TE85L,F)
    2SK2009(TE85L,F)

    2SK2009(TE85L,F)

  • 深圳市百润电子有限公司
    深圳市百润电子有限公司

    联系人：梁

    电话：17876146278

    地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A

  • 3000

  • TOSHIBA

  • N/A

  • 23+

  • -

  • 全新原装正品*海量现货库存*全网最低

  • 2SK2009(TE85L)
    2SK2009(TE85L)

    2SK2009(TE85L)

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • TOSHIBA

  • 09+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • 2SK2009(TE85L,F)
    2SK2009(TE85L,F)

    2SK2009(TE85L,F)

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 60750

  • TOSHIBA

  • SOT-23

  • 2014+

  • -

  • 全新原装现货

  • 2SK2009(TE85L)
    2SK2009(TE85L)

    2SK2009(TE85L)

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：13428937514

    地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质：营业执照

  • 4778

  • TOSHIBA

  • 2004+

  • -

  • 公司现货!只做原装!

  • 2SK2009(TE85L.F)
    2SK2009(TE85L.F)

    2SK2009(TE85L.F)

  • 深圳市华雄半导体（集团）有限公司
    深圳市华雄半导体（集团）有限公司

    联系人：雷精云

    电话：18988598856

    地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质：营业执照

  • 3362

  • TOSHIBA

  • SOT23

  • 2210+

  • -

  • 十年专营，供应原装正品！热卖现货！

  • 2SK2009(TE85L,F)
    2SK2009(TE85L,F)

    2SK2009(TE85L,F)

  • 东莞鼎岑科技有限公司
    东莞鼎岑科技有限公司

    联系人：莫

    电话：18925581989

    地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室

  • 5136

  • TOSHIBA

  • SOT-346

  • -

  • 1/1页 40条/页 共33条 
  • 1
2SK2009(TE85L PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
2SK2009(TE85L 技术参数
  • 2SK1859-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:980pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK1835-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 欧姆 @ 2A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK1829TE85LF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.05A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40欧姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5.5pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 2SK1828TE85LF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40欧姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5.5pF @ 3V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 2SK1775-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1730pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F 2SK2145-Y(TE85L,F) 2SK221100L 2SK2221-E 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q) 2SK2299N 2SK2315TYTR-E 2SK2376(Q) 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E
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