2SK1334BYTL/BY

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2SK1334BYTL/BY
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
20279
HITACHI
SOT-89
18+
-
原装现货,优势库存

2SK1334BYTL/BY
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
HITACHI
SOT-89
15+
-
质量保障假一罚十

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1

您是不是要找： 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF

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2SK1334BYTL/BY 技术参数

2SK1317-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 2A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:990pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK122800L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SK1119(F) 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.8 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2SK11030QL 功能描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:600μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:300 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 功率 - 最大值:150mW 标准包装:1 2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:160V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK1829TE85LF 2SK1835-E 2SK1859-E 2SK2009TE85LF 2SK2034TE85LF 2SK2035(T5L,F,T) 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F