2SA1203-O_代理商_批发/采购【买卖IC网】2SA1203-O

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2SA1203-O
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
TOSHIBA
SOT-89
最新
-
全新原装100%正品保证质量

2SA1203-O
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
TOSHIBA
SOT-89
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SA1203-O
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
TOSHIBA
SOT-89
最新
-
全新原装100%正品保证质量

2SA1203-O
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4600
TOSHIBA
SOT89
07+
-
全新原装现货

2SA1203-O(TE12L,C)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
353
TOSHIBA
2003
-
公司现货！只做原装！

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1

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2SA1203-O 技术参数

2SA1201-Y-TP 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 120V SOT89 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 2SA1186 功能描述:TRANS PNP 150V 10A MT-100 TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3P 标准包装:510 2SA1182-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1182-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1182-GR(TE85L,F 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1303 2SA1309A0A 2SA1309AQA 2SA1309ARA 2SA1309ASA 2SA1312-BL(TE85L,F 2SA1312GRTE85LF 2SA1313-O(TE85L,F) 2SA1313-Y,LF 2SA1315-Y,HOF(M 2SA1315-Y,T6ASNF(J 2SA1381CSTU 2SA1381DSTU 2SA1381ESTU 2SA1381FSTU 2SA1382,T6MIBF(J 2SA1386 2SA1386A

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