20ETS08PBF

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说明
操作

20ETS08PBF
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
346
VISHAY
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

20ETS08PBF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
VISHAY
TO-220AC
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

20ETS08PBF
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
9738
IR
TO-220
12+/13+
-
原装现货/特价

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1

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功能描述
DIODE STD REC 800V 20A TO220AC
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

20ETS08PBF 技术参数

20ETS08FP 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 20A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 整包供应商器件封装:TO-220AC 整包工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETS08 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 20A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF12S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 整包供应商器件封装:TO-220AC 整包工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:50 20ETF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20FLZ-RSM1-TB 20FLZ-RSM2-TB(LF)(SN) 20FLZ-SM1-TB 20FLZ-SM2-TB(LF)(SN) 20FMN-BMT-A-TF 20FMN-BMT-A-TF(LF)(SN) 20FMN-BMTR-A-TB 20FMN-BMTTN-A-TF 20FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 20FMN-BMTTR-A-TB 20FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 20FMN-SMT-A-TF 20FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 20G LARGE 20GD27 20GEEG3E 20GEEG3EM 20GEEG3E-R