1SV251(GV)

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1SV251(GV)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
5000000
SANYO
SOT23
2024+
-
绝对现货

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1SV251(GV) 技术参数

1SV250-TB-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 时的电容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 1SV249-TL-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 时的电容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:* 标准包装:3,000 1SV246-TL-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 时的电容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:* 标准包装:3,000 1SV239TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 15V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 10V，1MHz 电容比:2.4 电容比条件:C2/C10 电压 - 峰值反向（最大值）:15V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV234-TB-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 时的电容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:* 标准包装:3,000 1SV281(TPH3,F) 1SV281TH3FT 1SV282TPH3F 1SV285TPH3F 1SV304TPH3F 1SV305,H3F 1SV307(TPH3,F) 1SV308(TH3,F) 1SV308,L3F 1SV310TPH3F 1SV311(TPH3,F) 1SV314(TPL3,F) 1SV315-TL-E 1SV322(TPH3,F) 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT