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1SS221-T1B
优势
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4218
NEC
SOT23
2216+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

1SS221-T1B
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
RENESAS
SOT-23
22+
-
全新原装现货供应

1SS221-T1B
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
NEC
SOT-3
23+
-
只做原装正品

1SS221-T1B
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
50500
NEC
SOT-23
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

1SS221-T1B
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NEC
SOT23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1SS221-T1B
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NEC
SOT-23
05+
-
假一罚十，百分百原装正品

1SS221-T1B(A14)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
2000000
NEC
SOT23
2024+
-
顶级代理商原装现货

1SS221-T1B/A14
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
3000
NEC
SOT-23
04+
-
现货特价CXW

1SS221-T1B
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9866
NEC
SOT23/SOT323
08PB
-
绝对公司原装现货

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您是不是要找： 1SS226,LF 1SS226-TP 1SS244T-72 1SS244T-77 1SS250(TE85L,F) 1SS272TE85LF 1SS294,LF 1SS294S,LF(D 1SS295(TE85L,F)

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1SS221-T1B 技术参数

1SS196(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS193-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 1SS193S,LF(D 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:3,000 1SS193,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS190TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS300,LF 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17

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