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1N6463
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1775
MICROSEMI
2014+
-
公司现货!只做原装!

1N6463US
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
856420
MICROSEMI
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

1N6463
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Microsemi Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

1N6463US
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

1N6463
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
8000
JANTX
DIP
1225+
-
原装现货/特价

1N6463JANTX
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1328
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 500W 2-Pin Case E
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR E SD - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 500W 2-Pin Case E

1N6463 技术参数

1N6462US 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:258A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6462 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:258A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6461US/TR 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:56A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:100 1N6461US 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.6V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:315A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N646-1 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 300V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US 1N6474 1N6474US 1N6475 1N6475US 1N6476

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