1N5743

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1N5743B
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
VISHAY/NJ
DO-35
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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON 400MW ZENER DIODES

1N5743 技术参数

1N5742D 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 12V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5742C 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 12V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5742B 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 12V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5741D 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5741C 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:16V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5746B 1N5746C 1N5746D 1N5747B 1N5747C 1N5747D 1N5748B 1N5748C 1N5748D 1N5749B 1N5749C 1N5749D 1N5750B 1N5750C 1N5750D 1N5751B 1N5751C 1N5751D