1N5666

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1N5666
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
5000000
VISHAY
DO-201AD
16+
-
原装公司现货

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
Transient Absorption Zener

1N5666 技术参数

1N5665A 功能描述:TVS DIODE 171VWM 274VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:171V 电压 - 击穿（最小值）:190V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:274V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.5A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5665 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5664A 功能描述:TVS DIODE 154VWM 246VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:154V 电压 - 击穿（最小值）:171V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:246V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.1A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5664 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5663A 功能描述:TVS DIODE 145VWM 234VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:145V 电压 - 击穿（最小值）:162V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:234V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5711W-7-F 1N5711WS-7 1N5711WS-7-F 1N5712 1N5712#T25 1N5712-1 1N5712UB 1N5712UBCC 1N5712UR-1 1N5719 1N5728B 1N5728C 1N5728D 1N5729B 1N5729C 1N5729D 1N5730B 1N5730C