1N4747(20V)

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1N4747(20V)
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
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1N4747(20V) 技术参数

1N4747 G 功能描述:DIODE ZENER 20V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:22 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 15.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N4746PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4746PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4746P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4746P/TR12 功能描述:DIODE ZENER 18V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 13.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4747A,133 1N4747A_S00Z 1N4747A_T50A 1N4747A_T50R 1N4747AE3/TR13 1N4747AG 1N4747AHA0G 1N4747AHB0G 1N4747AHR0G 1N4747AHR1G 1N4747AP/TR12 1N4747AP/TR8 1N4747APE3/TR12 1N4747APE3/TR8 1N4747A-T 1N4747A-T50A 1N4747ATA 1N4747A-TAP