1N4550W-T1

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1N4550W-T1 技术参数

1N4550RB 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:0.16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 500mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N4550B 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:0.16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 500mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N4550A 1N4549RB 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:0.16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 500mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N4549B 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:0.16 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 500mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N4555B 1N4555RB 1N4556A 1N4556B 1N4556RB 1N4557A 1N4557B 1N4557RB 1N4558A 1N4558B 1N4558RB 1N4559A 1N4559B 1N4559RB 1N4560B 1N4560RB 1N4561B 1N4561RB