1EDI30J12-CL

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1EDI30J12-CL
深圳市华芯盛世科技有限公司
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地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
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深圳市一线半导体有限公司
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1EDI30J12-CL 技术参数

1EDI30I12MHXUMA1 功能描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:EiceDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:高压侧或低压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:13 V ~ 18 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.5V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5.2A，4.5A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:8-DSO 标准包装:1 1EDI30I12MFXUMA1 功能描述:High-Side or Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting PG-DSO-8-51 制造商:infineon technologies 系列:EiceDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:高压侧或低压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:13 V ~ 18 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.5V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5.9A，6.2A 输入类型:反相，非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:9ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8-51 标准包装:1 1EDI20N12AFXUMA1 功能描述:IC IGBT DVR 1200V DSO8 制造商:infineon technologies 系列:EiceDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:高压侧或低压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 35 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.5V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，3.5A 输入类型:反相，非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8-51 标准包装:1 1EDI20I12SVXUMA1 功能描述:IC GATE DRIVER HVIC DSO36 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:1,000 1EDI20I12MHXUMA1 功能描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:EiceDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:高压侧或低压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:13 V ~ 18 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.5V，3.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，3.2A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:10ns，9ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商器件封装:8-DSO 标准包装:1 1EDN7511BXTSA1 1EDN7512BXTSA1 1EDN7512GXTMA1 1EDN8511BXTSA1 1EDP 1EDS20I12SVXUMA1 1EDU20I12SVXUMA1 1EEA2 1EEAP 1EEB2 1EEJ2 1EF1F 1EF2F 1EGG1-1 1EGG1-2 1EGG1C-1 1EGG1C-2 1EGG8-1